عنوان اختراع: ترانزیستور تونلی با عایق گیت اكسید هافنیوم ناخالص‎شده با سیلیكان"Tunneling field-effect transistor with silicon doped hafnium oxide gate stack"

خلاصه اختراع

ترانزیستور تونلی با عایق گیت اكسید هافنیوم ناخالص‎شده با سیلیكان یك ترانزیستور تونلی فركانس بالای جدید است كه در آن ساختار پشته گیت به صورت پالی سیلیكان / اكسید هافنیوم ناخالص‎شده با سیلیكان / اكسید واسط / كانال است. كوچك‎سازی ابعاد ترانزیستورها یكی از مهمترین عوامل در پیشرفت نسل‎های مختلف فناوری ترانزیستور مكمل نیمه هادی-اكسید-فلز است. استفاده از فروالكتریك اكسید هافنیوم ناخالص‎شده با سیلیكان به جای فروالكتریك‎های پروسكایت متداول مثل تیتانات زیركونات سرب یا تانتالیت بیسموت استرانسیوم در ترانزیستور تونلی ، علاوه بر سازگاری با فرآیند متداول ترانزیستور مكمل نیمه هادی-اكسید-فلز سبب بهبود كوچك‎سازی ترانزیستور می‎شود. از سوی دیگر ترانزیستور تونلی با عایق گیت اكسید هافنیوم ناخالص‎شده با سیلیكان با افزایش ولتاژ گیت اعمالی روی سطح كانال سبب افزایش میدان الكتریكی در ناحیه تونل‎زنی می‎شود. بنابراین در مقایسه با ترانزیستور تونلی متداول، افزایش قابل توجهی در ترارسانایی و شیب زیر آستانه نشان می‎دهد كه می‎تواند جایگزین مناسبی برای ترانزیستور تونلی متداول برای كاربردهای كلیدزنی باشد.