عنوان اختراع: فرآیند بهبود جریان خاموش ترانزیستور تونلی با اتصال سورس-اكسید مدفون"Process of Improving off current of TFET with a source-burried oxide interface"

خلاصه اختراع

ترانزیستور تونلی با اتصال سورس-اكسید مدفون جدید یك ترانزیستور تونلی فركانس بالای جدید است كه در آن جریان حالت خاموش نسبت به نمونه‎های قبلی كاهش یافته است، شیب زیر آستانه بهبود پیدا كرده و نسبت جریان روشن به خاموش به خوبی افزایش پیدا كرده است. در این ایده برای اولین بار با ایجاد یك ناحیه بدون ناخالصی (BOX Pocket) دقیقا زیر سورس و مابین اكسید مدفون شده و سورس میزان ناخالصی الكترون سورس را كاهش داده‎ایم تا جریان كاهش پیدا كند. این ناحیه باعث كاهش جریان چه در حالت روشن و چه در حالت خاموش می‎شود اما در حالت خاموش جریان بسیار كاهش پیدا می‎كند؛ در حالیكه جریان حالت روشن تغییری نكرده است.