عنوان اختراع: فرآیند بهبود جریان دو قطبی ترانزیستورهای تونلی با استفاده از مهندسی سطح واسط كانال- درین"Process of Improving ambipolar current of tunneling transistors via drain-channel interface engineering"

خلاصه اختراع

ترانزیستور تونلی سیلیكان روی عایق با استفاده از مهندسی سطح واسط كانال- درین یك ترانزیستور تونلی فركانس بالای جدید است كه در این ترانزیستور هدف بهبود جریان دوقطبی، كاهش شیب زیر آستانه و كاهش جریان خاموش است و برای رسیدن به این هدف از یك ایده‎ی جدید استفاده كرده‎ایم. پیش از این ساختار كانال در ترانزیستور تونلی متداول از سورس تا درین بصورت ppn بود كه پس از آن نیز طرح ترانزیستور تونلی به صورت pnpn ارائه شد. اما در اختراع ما یك ناحیه‎ی n در سطح واسط درین-كانال ایجاد كرده‎ایم تا بتوان طول تونل زنی در سمت درین را افزایش داد. با این ایده توانستیم جریان دوقطبی را بهبود، جریان خاموش و شیب زیر آستانه را كاهش دهیم و تغییرات مناسبی در منحنی انتقالی ترانزیستور تونلی بوجود آوریم كه توسط نتایج شبیه‎سازی‎ها تایید شده است.