عنوان اختراع: تولید تك كریستال CsI با كاربرد سوسوزنی (آشكارسازی ورادیواكتیو)

خلاصه اختراع

‏به منظور رشد بلور Csl(Tl) به روش بریجمن ابتدا پودر CsI ‏را با Tl ‏پس از توزین مخلوط كرده و ‏با استفاده از ‏دستگاه پرس آنها را بصورت قرص در آورده و در داخل بوته قرار می دهیم. بوته را داخل كپسول رشد قرار داده و ‏كپسول را به سیستم كشنده متصل می كنیم سپس كپسول را به درون كوره هدایت می كنیم. به منظور از بین رفتن ‏رطوبت موجود در قرص ها، دمای كوره را تا ºC 500 ‏بالا برده و به مدت ٨ ‏ساعت در این دما، ثابت نگه می داریم. ‏سپس بوته را در داغ ترین ناحیه كوره به مدت ٢ ‏ساعت قرار می دهیم تا تمام محتویات بوته ذوب شود. كپسول را ابتدا با سرعت ثابت mm/h ‏10 ‏حركت می دهیم و پس از رسیدن به دمای ٣٠ ‏درجه پایین تر از دمای ذوب برای انجام فرایند رشد كپسول را با سرعت ئابت ( 1nm/h 1) سمت پایین كوره روانه می كنیم. پس از اتمام رشد برای كاستن از تنشهای حرارتی و نقایص بلوری، دمای كوره را ابتدا تا 0.8 ‏دمای ذوب بلور پائین آورده وكپسول به ‏مدت ١٢ ‏ساعت در این دما نگه می داریم و پس از ان دمای كوره را به دمای اتاق می رسانیم.