عنوان اختراع: سنتز نانو كامپوزیت مغناطیسی نیمه سخت برپایه اكشسد آهن و كبالت به روش شیمیایی

خلاصه اختراع

نانو كامپوزیت های مغناطیسی به دلیل دیسپرس شدن نانو ذرات مغناطیسی در ماتریس غیر مغناطیسی ، خواص مغناطیسی كاملامتفاوتیاز خواص مغناطیسی نانو ذرات مغناطیسی و توده مواد نشان می دهند. از طرف دیگر به دلیل كاربردهای فراوانی كه ناشی از خواص الكتریكی و مغناطیسی قابل توجه آنهاست، بسیار مورد توجه می باشند. در این اختراع، سنتز نانو كامپوزیت های مغناطیسی نیمه سخت بر پایه اكسید آهن و كبالت در ماتریس غیرپلیمری سیلیسی به دلیل دارا بودن خواص مغناطیسی، آنیزوتروپی مگنتوكریستالین، مقادیر مناسب میدان كوئرسیو و مغناطیس گزارش می شود. مشكل این است كه نانو ذرات مغناطیسی بر پایه اكسید آهن و كبالت به دلیل نسبت سطح به حجم بالا و تغییر در اندازه حوزه های مغناطیسی ناشی از اندازهی ذرات نانو متری آنها تمایل زیادی به آگاومره شدن یا كلوخه ای شدن دارند كه این امر تاثیر نامطلوبی بر خواص در مقیاس نانومتری این ذرات دارد. آگلومره شدن این ذرات به دلیل افزایش واكنش پذیری آنها در مقیاس نانومتری كه ناشی از تعداد بسیار زیاد مولكولها یا اتمهای موجود در سطح در مقایسه با توده ماده است، می باشد. لذا در این اختراع به منظور رفع این مشكل نانو ذرات مغناطیسی بر پایه اكسید آهن و كبالت را در ماتریس غیر مغناطیسی دیسپرس كرده تا از تشكیل آگلومره ها جلوگیری شود. نانو كامپوزیت های مغناطیسی به دلیل كاربردهای مختلفی كه دارا می باشند توسط روشهای مختلفی نظیر تجزیه حرارتی، مایسل معكوس، ذوب امتزاجی ، سل - ژل و ... سنتز شده اند. در این اختراع، نانو كامپوزیت های مغناطیسی با استفاده از روش سنتز شیمیایی سل ژل تهیه می شود. در مورد مقایسه روش های دیگر مزایای این روش سهولت، تكرارپذیری، تشكیل فاز بلوری خالص و نیز كاهش دما و زمان كلسیناسیون در مقایسه با روش های سنتی و متداول حالت جامد می باشد.