خلاصه اختراع : سلول‌هاي خورشيدي از مبدل‌هاي تبديل انرژي خورشيدي به الكتريسيته است. مواد نيمه رسانا در سلول‌هاي خورشيدي معدني نقش عمده‌اي دارند. از ميان نيمه رساناها گروه III-V كاربرد زيادي در سلول‌هاي خورشيدي ايفا نموده‌اند. نقش فناوري نانو يا نانو ساختارها به دليل بالا بودن مساحت سطحي در جذب حداكثري طيف نور خورشيد نقش بالا برنده بازدهي سلول را بازي مي‌كنند. نيمه‌رساناي نانوسيم نيتريدگاليم (GaN)جزء گروه III-V جدول تناوبي بوده و كاربردهاي زيادي در ساخت سلول‌هاي خورشيدي دارد. استفاده از روش ساده تبخير حرارتي در ساخت سلول خورشيدي مسير توليد گرانقيمت گذشته را كاهش چشمگيري مي‌دهد. اين موارد نشان مي‌دهد كه زمينه فني اين اختراع بين‌رشته‌اي بوده و در حوزه‌هاي نانومواد، فيزيك و الكترونيك مي‌باشد. مشكلات فني كه در روش‌هاي مختلف گزارش شده است مي‌توان به پيچيده بودن تكتيكي، هزينه بالا، سنتز دما بالا، عدم وجود تجهيزات در كشور و استفاده از مواد مضر محيط زيست به عنوان مواد اوليه نام برد. در اين اختراع، نانوسيم‌هاي GaN با استفاده از فرايند تبخير حرارتي (روشي ارزان قيمت و ساده، مواد اوليه مورد استفاده سازگار با محيط زيست) در دماي پايين بر روي زيرلايه‌هاي سيليكون لايه نشاني شد. براي سنتز نانوسيم‌ها ازپودر خالص نيتريد گاليم به عنوان پييش‌ماده استفاده شد. در اين فرايند گاز حامل آرگون ملكول‌هاي نيتريد گاليم را به زير لايه منتقل مي‌كند و در فشار، دما، ، مدت زمان لايه نشاني و نسبت گازي با مقادير مشخص با زير لايه واكنش داده و منجر به ساخت نانوسيم‌هاي نيتريد گاليم شدند. سپس توسط سيستم لايه نشاني تبخير حرارتي اتصالات اهمي بر روي نانوسيم‌ها قرار داده شد و سلول خورشيدي ساخته شد بررسي خواص اپتيكي و ساختاري و بازدهي سلول خورشيدي نشان از كيفيت بالاي سلول خورشيدي دارد. سلول‌هاي خورشيدي تك اتصاله در اين اختراع Ni/n-GaN/p-Si(100)/Al مي‌باشد خروجي الكتريكي و بازدهي آن با سيستم شبيه‌ساز خورشيدي مورد بررسي قرار گرفته است. بازدهي اين سلول خورشيدي .7 براي سلول با ابعاد 3×3 ميليمتر مربع تحت تابش 1.5AM بدست آمده است.