جستجو پیشرفته اختراع

خلاصه اختراع:

خلاصه اختراع:

خلاصه اختراع: توليد نانوسرمت Al2O3-SiC-Ni در دماي پايين و با تجهيزات ساده سرمت‌ها به دليل خواص سايشي، استحكام و سختي بالا در بسياري از صنايع جايگزين سراميك‌هاي معمول شده و كاربردهاي گسترده‌اي در صنايع اتومبيل و هوا فضا، صنايع نظامي و ابزار برش يافته‌اند. دماي تف‌جوشي بالا و نياز به تجهيزات پيشرفته مانند پرس داغ و اتمسفر كنترل شده از جمله محدوديت‌هاي روش‌هاي مبتني بر متالورژي پودر براي توليد اين سرمت ها مي‌باشند. در اين پژوهش از يك ايده براي توليد نانوكمپوزيت‌هاي زمينه سراميكي Al2O3-SiC-Ni استفاده شده است. در اين روش ابتدا ذرات Al2O3 با لايه نازكي از Ni به وسيله روش الكترولس پوشش داده شدند و سپس پودرهاي پوشش داده شده طي فرايندهاي پرس سرد و تف‌جوشي به صورت نمونه‌هاي بالك در آمدند. در ادامه براي بهبود استحكام اين سرمت‌ها، نانو ذرات SiC با درصد‌هاي مختلف به سرمت افزوده شده است. نتايج نشان مي دهند كه در اين روش چون از تماس ذرات آلومينا به يكديگر حين زينترينگ ممانعت به عمل مي آيد مي توان دماي زينترينگ سرمت را از محدوده دمايي ˚C1400 به دماي حدودC ˚800 كاهش داد و لذا تف جوشي را با تجهيزات ساده تر و بدون اتمسفر كنترل شده انجام داد.

خلاصه اختراع: نانوكامپوزيت هاي مغناظيسي زمينه اينترمتاليك permalloy تركيبات بين فلزي FeNi يا به اصطلاح permalloy بواسطه خواص مغناطيسي فوق العاده مورد توجه بوده اند، با اين حال اين مواد داراي خواص مكانيكي مناسبي نمي باشند. در اين اختراع، از دو ايده توليد زمينه permalloy نانوساختار و تقويت آن با نانوذرات آلومينا به روش سنتز درجاي نانو ذرات با استفاده از انجام واكنش هاي شيميايي به كمك انرژي مكانيكي، جهت بهبود خواص مكانيكي permalloy استفاده شده است. در اين روش مخلوط پودري شامل نسبت هاي اسنوكيومتري از پودرهاي آلومينيوم، اكسيد آهن و نيكل در محفظه واكنش قرارگرفته و با استفاده از انرژي مكانيكي آسياب مكانيكي، در اثر واكنش زير پودر نانوكامپوزيتي زمينه FeNi نانو ساختار توليد مي شود كه نانو ذرات تقويت كننده Al2O3 بصورت يكنواختي در آن توزيع يافته اند. Fe2O3 2Ni 2Al 2FeNi Al2O3 پودر هاي نانوكامپوزيتي توليد شده در ادامه تحت فرايند پرس سرد بصورت نمونه بالك درآمده و سپس دركوره خلا زينتر مي شوند. نانوكامپوزيت توليدشده بدليل خواص مكانيكي، الكتريكي و مغناطيسي فوق العاده مي تواند بعنوان ماده اوليه در بسياري از قطعات الكترونيكي و مغناطيسي مانند هسته هاي مغناطيسي، سنسورهاي مغناطيسي، ترانسفورماتورها، مبدل ها، محافظ مغناطيسي وغيره مورد استفاده قرار گيرد.