عنوان اختراع: تولید تك كریستال LiI(Eu) برای آشكارسازی پرتوهای نوترون وگاما

خلاصه اختراع

‏به منظور رشد بلور Lil(Eu) ‏به روشعبور مذاب از گرادیان حرارتی، ابتدا پودر Lil ‏را با Eu ‏پس از توزین مخلوط ‏‏كرده و با استفاده از دستگاه پرس آنها را بصورت قرص در آورده و در داخل بوته قرار می دهیم. بوته را داخل ‏كپسول رشد قرار داده و كپسول را به سیستم كشنده متصل می كنیم سپس كپسول را به درون كوره هدایت می كنیم. به منظور از بین رفتن رطوبت موجود در قرص ها، دمای كوره را تا ºC 400 ‏بالا برده و به مدت ۴ ‏ساعت در این دما،‏ثابت نگه میداریم. سپس بوته را در داغ ترین ناحیه كوره به مدت ٢ ‏ساعت قرار می دهیم تا تمام محتویات بوته ذوب شود. كپسول را ابتدا با سرعت ثابتmm/h ‏12 حركت می دهیم و پس از رسیدن به دمای ٣٠ ‏درجه پایین تر از دمای ذوب برای انجام فرایند رشد كپسول را با سرعت ثابت ( mm/h 1.2)به سمت پایین كوره روانه می كنیم. پس از اتمام رشد برای كاستن از تنشهای حرارتی و نقایص بلوری، دمای كوره را ابتدا تا 0.8 ‏دمای ذوب بلور پائین ‏آورده و كپسول به مدت ١٢ ‏ساعت در این دما نگه می داریم و پس از آ ن دمای كوره را به دمای اتاق می رسانیم.