عنوان اختراع: فرآیند لایه نشانی نانوذرات دی اكسیدتیتانیوم به روش سل-ژل با تكنیك غوطه وری با چسبندگی بالا(TIO2 NLFDC)

خلاصه اختراع

خلاصه: روش های مرسوم لایه نشانی و تولید سل(ذرات معلق در محلول) نانو ذرات دی اكسید تیتانیوم به شرح زیر می باشند: 1- تهیه محلول سل نانو ذرات دی اكسید تیتانیوم در محیط خنثی و اسیدی 2- تهیه سل نانو ذرات دی اكسید تیتانیم با استفاده از اكسنده آب اكسیژنه سطوح پوشش داده شده با نانو ذرات تولید شده به روش های مذكور دارای معایب زیر هستند: 1- عدم پایداری سطوح پوشش داده شده با نانو ذرات دی اكسید تیتانیم 2- عدم تكرار پذیری آلاینده زدایی سطوح لایه نازك دی اكسید تیتانیم 3- درصد آلاینده زدایی ضعیف لایه نازك دی اكسید تیتانیم با توجه به معایب روش های مذكور ما روش جدیدی را با عنوان" روش پیشرفته لایه نشانی نانو ذرات دی اكسید تیتانیوم به روش شیمیایی سل-ژل با تكنیك غوطه وری روی سطح شیشه با چسبندگی بالا(TiO2 NLFDC) طراحی كرده و مورد استفاده قرار دادیم كه شامل چهار مرحله زیر است: 1- تهیه محلول سل نانو ذرات دی اكسید تیتانیم با استفاده از عامل بازدارنده استیل استون و قالب پلی اتیلن گلیكول 2- لایه نشانی سل نانو ذرات بر روی سطح شیشه با تكنیك غوطه وری 3- خشك كردن در دمای C50-30 درجه 4- حرارت دهی در دمای بینC 500-400 درجه